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Energie- und Elektrotechnik

73 Suchergebnisse

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Norm [AKTUELL] 1988-12

DIN 4000-19:1988-12
Sachmerkmal-Leisten für Transistoren und Thyristoren

ab 34,60 EUR inkl. MwSt.

ab 32,34 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2007-01

DIN EN 62373:2007-01
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006

ab 70,50 EUR inkl. MwSt.

ab 65,89 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2010-12

DIN EN 62416:2010-12
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010

In diesem Dokument ist ein Prüfverfahren auf "heiße" Ladungsträger (Hot-Carrier) auf Waferniveau für NMOS- und PMOS-Transistoren festgelegt. Das Prüfverfahren wurde erarbeitet, um zu ermitteln ...

ab 77,90 EUR inkl. MwSt.

ab 72,80 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2023-08

DIN EN IEC 63373:2023-08
Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern (IEC 63373:2022); Deutsche Fassung EN IEC 63373:2022

Im Allgemeinen ist die Prüfung des dynamischen Durchlasswiderstands ein Maß für Ladungseinschlussphänomene in GaN-Leistungstransistoren. Diese Veröffentlichung enthält Richtlinien für die Prüfung ...

ab 91,80 EUR inkl. MwSt.

ab 85,79 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1996-11

DIN EN 120003:1996-11
Vordruck für Bauartspezifikation - Phototransistoren, Photo-Darlington-Transistoren, Phototransistorzeilen; Deutsche Fassung EN 120003:1992

ab 56,60 EUR inkl. MwSt.

ab 52,90 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2007-03-01

OEVE/OENORM EN 62373:2007-03-01
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006)

ab 100,28 EUR inkl. MwSt.

ab 93,72 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2011-01-01

OEVE/OENORM EN 62416:2011-01-01
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010) (deutsche Fassung)

ab 100,28 EUR inkl. MwSt.

ab 93,72 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2022-03

SN EN IEC 63373:2022-03
Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern

28,70 EUR inkl. MwSt.

26,82 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2006-08

SN EN 62373:2006-08
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)

ab 21,20 EUR inkl. MwSt.

ab 19,81 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2010-06

SN EN 62416:2010-06
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

ab 25,80 EUR inkl. MwSt.

ab 24,11 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2010-11-01

NF C80-202:2010-11-01; NF EN 62416:2010-11-01
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

ab 90,10 EUR inkl. MwSt.

ab 84,21 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1978-04-21

UTE C86-614/A1U:1978-04-21; UTE C86-614/A1:1978-04-21
ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAIL SPECIFICATION WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614

ab 73,40 EUR inkl. MwSt.

ab 68,60 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1978-11-06

UTE C86-614/A2U:1978-11-06; UTE C86-614/A2:1978-11-06
ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAIL SPECIFICATION WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614

ab 118,70 EUR inkl. MwSt.

ab 110,93 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1979-08-27

UTE C86-614/A5U:1979-08-27; UTE C86-614/A5:1979-08-27

ab 90,10 EUR inkl. MwSt.

ab 84,21 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1980-01-01

UTE C86-614/A6U:1980-01-01; UTE C86-614/A6:1980-01-01

ab 90,10 EUR inkl. MwSt.

ab 84,21 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1981-01-01

UTE C86-614/A7U:1981-01-01; UTE C86-614/A7:1981-01-01

ab 32,00 EUR inkl. MwSt.

ab 29,91 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1981-05-01

UTE C86-614/A8U:1981-05-01; UTE C86-614/A8:1981-05-01
ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAILS SPECIFICATIONS WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614 (CECC 50 000 AND CECC 50 004)

ab 130,10 EUR inkl. MwSt.

ab 121,59 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1986-03-01

UTE C86-614/A9U:1986-03-01; UTE C86-614/A9:1986-03-01

ab 130,10 EUR inkl. MwSt.

ab 121,59 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1987-04-01

UTE C86-614/A10U:1987-04-01; UTE C86-614/A10:1987-04-01

ab 73,40 EUR inkl. MwSt.

ab 68,60 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1977-02-22

UTE C86-614U:1977-02-22; UTE C86-614:1977-02-22
ELEKTRONISCHE BAUTEILE. BIPOLARE SCHALTTRANSISTOREN. ZUSAMMENFASSUNG DER BESONDEREN SPEZIFIKATIONEN IM RAHMEN DER NORM NF C 86-010 UND NF C 86-614 (CECC 50 000 UND CECC 50 004)

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ab 90,10 EUR inkl. MwSt.

ab 84,21 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 1989-06-01

NF C96-007:1989-06-01
HALBLEITERBAUELEMENTE EINZELBAUELEMENTE UND INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. DISKRETE BAUELEMENTE. SIEBENER TEIL : BIPOLARERTRANSISTOREN

ab 223,60 EUR inkl. MwSt.

ab 208,97 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2006-10-01

NF C96-051:2006-10-01; NF EN 62373:2006-10-01
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)

ab 90,10 EUR inkl. MwSt.

ab 84,21 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2022-03-25

NF C96-373:2022-03-25; NF EN IEC 63373:2022-03-25
Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN HEMT-Leistungswandlern

ab 90,10 EUR inkl. MwSt.

ab 84,21 EUR exkl. MwSt.

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Norm-Entwurf

PR NF C96-284; PR NF EN IEC 63284 - Entwurf
Halbleiterbauelemente - Zuverlässigkeits-Prüfverfahren durch induktives Lastschalten für Galliumnitrid-Transistoren

81,80 EUR inkl. MwSt.

76,45 EUR exkl. MwSt.

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Norm-Entwurf 2017-11-30

17/30366375 DC:2017-11-30 - Entwurf
BS IEC 62373-1. Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET). Part 1. Fast BTI Test method

ab 30,90 EUR inkl. MwSt.

ab 28,88 EUR exkl. MwSt.

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Norm-Entwurf 2018-08-03

18/30381548 DC:2018-08-03 - Entwurf
BS EN 62373-1. Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET). Part 1. Fast BTI Test method

34,30 EUR inkl. MwSt.

32,06 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2008-02-29

BS IEC 60747-4+A1:2008-02-29
Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Mikrowellendioden und-transistoren

ab 403,40 EUR inkl. MwSt.

ab 377,01 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2011-02-28

BS IEC 60747-7+A1:2011-02-28
Semiconductor devices. Discrete devices. Bipolar transistors

ab 403,40 EUR inkl. MwSt.

ab 377,01 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2011-06-30

BS IEC 60747-8+A1:2011-06-30
Halbleiterbauelemente. Einzel-Halbleiterbauelemente. Feldeffekttransistoren

ab 403,40 EUR inkl. MwSt.

ab 377,01 EUR exkl. MwSt.

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Norm [AKTUELL] 2004-11-09

BS IEC 60747-8-4:2004-11-09
Discrete semiconductor devices - Metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications

ab 372,60 EUR inkl. MwSt.

ab 348,22 EUR exkl. MwSt.

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