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Norm [AKTUELL]
DIN EN 62416:2010-12
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010
- Englischer Titel
- Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416:2010); German version EN 62416:2010
- Ausgabedatum
- 2010-12
- Originalsprachen
- Deutsch
- Seiten
- 12
- Ausgabedatum
- 2010-12
- Originalsprachen
- Deutsch
- Seiten
- 12
- DOI
- https://dx.doi.org/10.31030/1718572
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Einführungsbeitrag
In diesem Dokument ist ein Prüfverfahren auf "heiße" Ladungsträger (Hot-Carrier) auf Waferniveau für NMOS- und PMOS-Transistoren festgelegt. Das Prüfverfahren wurde erarbeitet, um zu ermitteln, inwiefern die Einzeltransistoren eines bestimmten ©MOS-Prozesses der geforderten Hot-Carrier-Lebensdauer entsprechen. Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
ICS
31.080.30
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/1718572
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