IEC 60747-9:2019-11

Halbleiterbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)

Englischer Titel: Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
Ausgabedatum: 2019-11
Originalsprachen: Englisch, Französisch
Seiten: 160

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