DIN EN 60749-44:2017-04

Die Normenreihe DIN EN 60749 enthält unterschiedliche mechanische und klimatische Prüfverfahren, die speziell auf die Anwendung bei Halbleiterbaulementen optimiert sind und deren feinste Strukturen sowie die Besonderheiten in der Herstellung dieser Bauelemente berücksichtigen. Die Strukturen integrierter Schaltungen und Speicherbauelemente sind heute derart fein, dass Strahlungen, wie sie gerade bei Anwendungen in Flugzeugen oder im Weltraum ständig auftreten können, zu deren Schädigung oder Fehlfunktionen führen können. Daher sind gerade bei diesen hochsensitiven Anwendungen die Bauelemente auf ihre Ausfallsicherheit zu prüfen und dementsprechend Vorkehrungen oder Abschirmungen für deren Einsatz vorzusehen. In diesem Teil der DIN EN 60749 ist ein Verfahren zur Messung von Einzelereignis-Effekten (SEE; en: single event effect) bei integrierten Halbleiterbauelementen hoher Schaltungsdichten einschließlich der Fähigkeit des Datenerhalts (Data-Retention) von Halbleiterbauelementen mit Speicherelementen festgelegt, wenn diese Bauelemente mit terrestrischer kosmischer Strahlung beansprucht werden. Die SEE-Empfindlichkeit wird gemessen, während das Bauelement mit einem Neutronenstrahl bekannten Flusses bestrahlt wird. Dieses Prüfverfahren kann für alle Bauarten von integrierten Schaltungen angewendet werden. Kombinierte Beanspruchungen, wie sie bei Halbleiterbauelementen unter Hochspannungsbeanspruchung vorkommen können, wie etwa ein Gate-Durchbruch (SEGR, single event gate rupture) oder thermische Überlastungen (SEB, single event burn-out), die durch Strahlungsbeanspruchungen beschleunigt werden, gehören nicht zum Anwendungsbereich dieses Dokuments. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.