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Norm [AKTUELL]

DIN EN IEC 62790:2021-12

VDE 0126-500:2021-12

Anschlussdosen für Photovoltaik-Module - Sicherheitsanforderungen und Prüfungen (IEC 62790:2020); Deutsche Fassung EN IEC 62790:2020

Englischer Titel
Junction boxes for photovoltaic modules - Safety requirements and tests (IEC 62790:2020); German version EN IEC 62790:2020
Ausgabedatum
2021-12
Originalsprachen
Deutsch
Seiten
70

123,69 EUR inkl. MwSt.

115,60 EUR exkl. MwSt.

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2021-12
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Deutsch
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70

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Einführungsbeitrag

Dieses Dokument beschreibt Sicherheitsanforderungen, konstruktive Anforderungen und Prüfungen für Anschlussdosen bis 1500 V Gleichspannung für die Verwendung an Photovoltaik-Modulen nach IEC 61140:2016, Schutzklasse II. Dieses Dokument gilt auch für Gehäuse, die auf PV-Modulen montiert sind und elektronische Schaltungen zur Umwandlung, Steuerung, Überwachung oder ähnliche Funktionen enthalten. Zusätzliche Anforderungen bezüglich der maßgeblichen Funktionen müssen unter Beachtung der Umweltbedingungen der PV-Module angewendet werden. Für Anschlussdosen nach IEC 61140:2016, Schutzklassen 0 und III, in Photovoltaik-Systemen darf diese Norm als Leitfaden verwendet werden. Dieses Dokument gilt nicht für elektronische Schaltungen dieser Einrichtungen, für die andere IEC-Normen zutreffen.

Ersatzvermerk
Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN 62790 (VDE 0126-500):2016-02 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Änderungen in den Abschnitten „Normative Verweisungen“ und „Begriffe“; b) Verbesserung der Angabe von Kategorien für Anschlussdosen in 4.1; c) Erläuterung der Umgebungstemperatur in 4.1; d) Ergänzung der Anforderung hinsichtlich der Angabe von Informationen zu RTE/RTI oder TI in 4.2; e) Verweisung auf IEC 62930 anstelle von EN 50618 in 4.6; f) Ergänzung der „Funktionsisolierung“ in Tabelle 1; g) Ergänzung der Spalte „Abstände durch verklebte Verbindungsstellen“ in Tabelle 3; h) Korrektur des Prozessablaufs für die Einteilung von Werkstoffgruppen (Streichen der PTI) in 4.15.2.3; i) Anforderung des Nachweises von RTE/RTI oder TI für Isolierstoffteile in 4.16.1 und 4.16.2; j) Änderung der Anforderungen an das elektrochemische Potential in 4.17.2; k) Erläuterung der IP-Prüfung in 5.3.4.2; l) Ergänzung der Prüfspannung für verklebte Verbindungsstellen in 5.3.6 und 5.3.16; m) Ergänzung einer genauen Beschreibung der Vorbereitung des Prüfmusters für die Temperaturwechselprüfung in 5.3.9.1; n) neues Verfahren für die Temperaturprüfung der Bypass-Diode (5.3.18) nach IEC 61215-2:2016, MQT18.1; o) neues Verfahren für die Prüfung des Rückwärts-Überlaststroms in 5.3.23; p) neues Bild 1 für die Temperaturwechselprüfung.

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