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Norm-Entwurf
OVE EN IEC 63275-2:2021-04-01 - Entwurf
- Englischer Titel
- Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation (IEC 47/2680/CDV) (english version)
- Ausgabedatum
- 2021-04-01
- Originalsprachen
- Englisch
- Seiten
- 14
- Ausgabedatum
- 2021-04-01
- Originalsprachen
- Englisch
- Seiten
- 14
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