DIN EN IEC 60749-17:2019-11

Die Eignung von Halbleiterbauelementen für unterschiedliche Anwendungen ist auch von den klimatischen und mechanischen Umgebungseinflüssen oder anderen Umgebungsbedingungen abhängig, denen diese Bauelemente ausgesetzt werden. Die Normenreihe DIN EN 60749 enthält eine Vielzahl von unterschiedlichen Prüfverfahren hierzu. In diesem Teil der Normenreihe DIN EN 60749 ist das Prüfverfahren mit Neutronenbestrahlung, das sowohl auf integrierte Schaltungen als auch auf Einzelhalbleiterbauelemente anwendbar ist, enthalten. Diese zerstörende Prüfung wird angewandt, um die Anfälligkeit von Halbleiterbauelementen bezüglich der Degradation durch nichtionisierenden Energieverlust (NIEL) zu bestimmen. Der Zweck dieses Prüfverfahrens ist es, die Degradation entscheidender Kenngrößen von Halbleiterbauelementen als Funktion des Neutronenflusses zu ermitteln und zu Messen sowie zu bestimmen, ob festgelegte Kenngrößen von Halbleiterbauelementen sich innerhalb festgelegter Grenzwerte befinden, nachdem die Halbleiterbauelemente einem festgelegten Neutronenfluss ausgesetzt worden sind. Gegenüber DIN EN 60749-17:2003-09 soll die Neuausgabe an die aktuellen Festlegungen des Verfahrens 1017 von MIL-STD 883J angepasst werden, wodurch Verwendungseinschränkung des Dokumentes und eine Anforderung, die Gesamtionisierungsdosis zu begrenzen, entfallen. Ferner wurde die Übersetzung des gesamten Dokuments überarbeitet. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik bei DIN und VDE.