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Norm-Entwurf
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In diesem Teil von IEC 60749 wird das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung von Bauelementen und Mikroschaltungen nach ihrer Störanfälligkeit (Empfindlichkeit) gegen Beschädigung oder Beeinträchtigung festgelegt, wenn diese einer definierten elektrostatischen Entladung (ESD) im feldinduzierten Charged Device Model (CDM) ausgesetzt werden. Alle gehäusten Halbleiterbauelemente, Dünnfilmschaltungen, akustischen Oberflächenwellen-Bauelemente (SAW; englisch: surface acoustic wave), optoelektronischen Bauelemente, integrierten Hybridschaltungen (HICs; englisch: hybrid integrated circuits) und Multi-Chip-Module (MCMs), die eines dieser Bauelemente enthalten, sind nach diesem Dokument zu bewerten. Um die Prüfungen durchzuführen, werden die Bauelemente in einem Gehäuse montiert, das ähnlich dem Gehäuse ist, welches in der endgültigen Anwendung erwartet werden kann. Dieses CDM-Dokument ist nicht für SDM (englisch: Socketed Discharge Model)-Prüfeinrichtungen anzuwenden. Dieses Dokument beschreibt das feldinduzierte (FI-) Verfahren. In diesem Dokument gibt es keine Einschränkungen im Anwendungsbereich.
Beabsichtigte Zurückziehung mit Ersatz zum 2024-12 durch: DIN EN IEC 60749-28:2024-12; VDE 0884-749-28:2024-12 .
Wird ersetzt durch DIN EN IEC 60749-28:2024-12; VDE 0884-749-28:2024-12 .
Gegenüber DIN EN 60749-28 (VDE 0884-749-28):2018-02 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Ergänzung eines neuen Unterabschnitts und neuen Anhangs über die Probleme im Zusammenhang mit der CDM-Prüfung von integrierten Schaltungen und diskreten Halbleitern in sehr kleinen Gehäusen; b) Änderungen zur Klärung der Reinigung von Geräten und Prüfvorrichtungen.
Norm [VORAB BEREITGESTELLT]
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