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Norm-Entwurf [ZURÜCKGEZOGEN]
DIN EN IEC 60749-28:2024-05 - Entwurf
VDE 0884-749-28:2024-05
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Charged Device Model (CDM) - Device Level (IEC 60749-28:2022); Deutsche Fassung EN IEC 60749-28:2022
- Englischer Titel
- Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level (IEC 60749-28:2022); German version EN IEC 60749-28:2022
- Erscheinungsdatum
- 2024-04-26
- Ausgabedatum
- 2024-05
- Originalsprachen
- Deutsch
- Seiten
- 49
- Erscheinungsdatum
- 2024-04-26
- Ausgabedatum
- 2024-05
- Originalsprachen
- Deutsch
- Seiten
- 49
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In diesem Teil von IEC 60749 wird das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung von Bauelementen und Mikroschaltungen nach ihrer Störanfälligkeit (Empfindlichkeit) gegen Beschädigung oder Beeinträchtigung festgelegt, wenn diese einer definierten elektrostatischen Entladung (ESD) im feldinduzierten Charged Device Model (CDM) ausgesetzt werden. Alle gehäusten Halbleiterbauelemente, Dünnfilmschaltungen, akustischen Oberflächenwellen-Bauelemente (SAW; englisch: surface acoustic wave), optoelektronischen Bauelemente, integrierten Hybridschaltungen (HICs; englisch: hybrid integrated circuits) und Multi-Chip-Module (MCMs), die eines dieser Bauelemente enthalten, sind nach diesem Dokument zu bewerten. Um die Prüfungen durchzuführen, werden die Bauelemente in einem Gehäuse montiert, das ähnlich dem Gehäuse ist, welches in der endgültigen Anwendung erwartet werden kann. Dieses CDM-Dokument ist nicht für SDM (englisch: Socketed Discharge Model)-Prüfeinrichtungen anzuwenden. Dieses Dokument beschreibt das feldinduzierte (FI-) Verfahren. In diesem Dokument gibt es keine Einschränkungen im Anwendungsbereich.
Dokument wurde ersetzt durch DIN EN IEC 60749-28:2024-12; VDE 0884-749-28:2024-12 .
Gegenüber DIN EN 60749-28 (VDE 0884-749-28):2018-02 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Ergänzung eines neuen Unterabschnitts und neuen Anhangs über die Probleme im Zusammenhang mit der CDM-Prüfung von integrierten Schaltungen und diskreten Halbleitern in sehr kleinen Gehäusen; b) Änderungen zur Klärung der Reinigung von Geräten und Prüfvorrichtungen.