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Norm [AKTUELL]
DIN 50453-1:2023-08
Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung der Ätzraten von Ätzmischungen - Teil 1: Silicium-Einkristalle, Gravimetrisches Verfahren
- Englischer Titel
- Testing of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 1: Silicium monocrystals, gravimetric method
- Ausgabedatum
- 2023-08
- Originalsprachen
- Deutsch
- Seiten
- 9
- Ausgabedatum
- 2023-08
- Originalsprachen
- Deutsch
- Seiten
- 9
- DOI
- https://dx.doi.org/10.31030/3434027
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Dieses Dokument legt ein Verfahren fest, welches zur schnellen Bestimmung der Ätzrate von Ätzmischungen an Siliciumsubstraten dient. Dieses Dokument ist für Ätzmischungen anwendbar, die bei Silicium eine weitgehend gleichmäßige Flächenabtragung bewirken. Dieses Dokument wurde vom Arbeitsausschuss NA 062-02-21 AA "Prüfung von Prozessmaterialien für die Halbleitertechnologie" im DIN-Normenausschuss Materialprüfung (NMP) erarbeitet.
Dieses Dokument ersetzt DIN 50453-1:1990-10 .
Gegenüber DIN 50453-1:1990-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Verschiebung einer normativen Verweisung in das Literaturverzeichnis; b) Abschnitt 1 "Anwendungsbereich" redaktionell überarbeitet; c) Abschnitt 5 "Einheiten" gestrichen; d) Abschnitt 5 "Geräte" (vorm. Abschnitt 6) überarbeitet; e) Abschnitt 6 "Silicum-Substrat" (vorm. Abschnitt 7) aktualisiert; f) 8.3 "Kristallorientierung" (vorm. Unterabschnitt 9.3), 8.5 "Spezifische Zusammensetzung der einzelnen Ätzmischung" (vorm. Unterabschnitt 9.5), 8.7 "Temperatur" (vorm. Unterabschnitt 9.7) und 8.8 "Massendifferenz" (vorm. Unterabschnitt 9.8) aktualisiert; g) Abschnitt 9 "Probenvorbereitung" (vorm. Abschnitt 10) aktualisiert und Zusammensetzung der Lösung zur Entfettung und Hydrophilierung von Ammoniumperoxodisulfat zu Wasserstoffperoxid geändert; h) Überarbeitung des Abschnitts 10 "Durchführung" (vorm. Abschnitt 11); i) Aktualisierung der Abschnitts 13 "Prüfbericht" (vorm. Abschnitt 14); j) redaktionelle Überarbeitung.