Semicoductor devices; discrete devices; part 8: field-effect transistors; section 2: blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications
German title
Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 8: Feldeffekt-Transistoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für Feldeffekt-Transistoren für gehäusebezogene Leistungs-Verstärkeranwendung
Publication date
1993-02
Original language
English,
French
Pages
35
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1993-02
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English,
French
Pages
35
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